افزایش توانایی نوشتار و ذخیره اطلاعات بر روی حافظهها به کمک علم نانو
محققان دانشگاهی در آمریکا با دستکاری ساختار محیط مغناطیسی توانستند امکان افزایش ذخیره و نوشتار روی حافظههای کامپوتری را فراهم آورند.
به گزارش ماتیاس باد (mathias bode) مسئول این گروه 5نفره آنها تواستند به کمک میکروسکوپ پیمایشگر نانویی خاصی به درون محیط مغناطیسی نفوذ کرده و با ایجاد تغییراتی در حجم و ساختار آن امکان ذخیره داده روی آن را افزایش دهند.
وی افزود با استفاده از این روش در ساخت سخت افزارهای کامپیوتری میتوان حافظههای بسیار کوچکتر با حجم ذخیره اطلاعات بسیار زیادتر از آنچه امروزهMRAM نامیده می شود را تولید کرد.
این گروه اکنون در دانشگاه هامبورگ آلمان مشغول به تکمیل آزمایشات خود میباشند تا بتوانند به زودی محصول صنعتی خود را وارد بازار کنند.
منبع: www.nanowerk.com